全聚焦方式（TFM）是否優(yōu)于相控陣技術(shù)？
全聚焦方式與相控陣技術(shù)孰優(yōu)孰劣還尚未有定論。在某些應(yīng)用中，F(xiàn)MC/TFM技術(shù)具有很多優(yōu)勢，而在另一些應(yīng)用中，相控陣技術(shù)則可能更具優(yōu)勢。擁有一臺可以使用這兩種技術(shù)進行檢測并可提供高質(zhì)量圖像的高性能儀器，是您的理想選擇。

由于全聚焦方式（TFM）可以毫無差別地聚焦所有的位置，因此可以大大提高探測到那些標準相控陣技術(shù)幾乎不可能發(fā)現(xiàn)的微小缺陷的能力。盡管如此，F(xiàn)MC/TFM檢測的掃查速度要比相控陣檢測慢，而且只可在近場聚焦。相控陣也可以生成出色的圖像，且圖像質(zhì)量通常與全聚焦方式（TFM）提供的圖像不相上下。我們在有關(guān)全聚焦方式（TFM）的常見問題解答中逐點詳細地介紹了其優(yōu)點和缺點。

OmniScan X3探傷儀的FMC/TFM采集和處理功能具有多種可以進一步提高圖像質(zhì)量的創(chuàng)新特性。

以下是其3個可以提高成像質(zhì)量的最顯著的特性：

1. 實時TFM（全聚焦方式）包絡(luò)
OmniScan X3探傷儀的高級全聚焦方式（TFM）處理功能所包含的實時TFM（全聚焦方式）包絡(luò)特性，是通過將與TFM重建相關(guān)的單個波紋合并在一起的方法，提高所生成圖像的清晰度。實時TFM包絡(luò)還可以降低重建偽影的影響。

使細小的缺陷“躍然”屏幕之上
啟用包絡(luò)功能后，甚至非常細小的缺陷，如：高溫氫致（HTHA）缺陷，也會變得更加顯著。以下圖像為啟用（左圖）和未啟用（右圖）包絡(luò)功能時所顯示的高溫氫致缺陷。


圖像清晰地表明探測高溫氫致缺陷所使用的是一個固定或靜止的探頭和一個L-L聲波組，這就是使用TFM功能生成真實反映缺陷在工件中幾何位置圖像的理想條件。

2. AIM（聲學影響圖）模擬器
在使用典型的TFM系統(tǒng)時，我們可以假定關(guān)注區(qū)域（ROI）會被探頭所發(fā)出的聲波完全覆蓋。但是，有一些變量，如：工件厚度、聲速和探頭頻率等，會影響關(guān)注區(qū)域內(nèi)的聲學探測水平。

為了確保使用優(yōu)質(zhì)信噪比（SNR）探測到目標缺陷，我們?yōu)镺mniScan X3探傷儀配備了一種被稱為聲學影響圖（AIM）的功能。

當我們在探傷儀中創(chuàng)建全聚焦方式（TFM）掃查計劃時，聲學影響圖（AIM）建模工具會為我們顯示每個傳播模式（或聲波組）在關(guān)注區(qū)域（ROI）中的有效聲學影響。在下面的屏幕截圖中，我們可以看到 TT-L（上圖）和TT-TT（下圖）兩個TFM聲波組可以覆蓋的范圍。


顯示波幅覆蓋范圍的清晰彩色圖像
聲學影響波幅圖的顏色清楚地表明了TFM聲波組在關(guān)注區(qū)域（ROI）中所覆蓋的范圍。

紅色區(qū)域表示超聲響應(yīng)非常好，超聲響應(yīng)與最大波幅的距離在0 dB到−3 dB之間。
橙色區(qū)域的超聲響應(yīng)與最大波幅的距離在3 dB到−6dB之間。
黃色區(qū)域的超聲響應(yīng)與最大波幅的距離在−6dB到−9 dB之間。
以此類推。
這個工具有助于用戶選擇適當?shù)腡FM聲波組進行檢測。

3. 在屏幕上對最多4個聲波組進行比較
在檢測過程中，我們可以在分析儀的屏幕上對多達4個聲波組進行比較。對聲波組進行比較可以獲得一些補充信息，從而可以簡化某些探測任務(wù)，如：對缺陷的定量。

光標放置的位置越精確，缺陷定量的結(jié)果就會越準確
通過一個聲波組，我們可能會更清楚地觀察到端部衍射的情況，而通過另一個聲波組，我們可能會更好地觀察到圓角凹陷的區(qū)域，而第三個聲波組（通常是焊縫檢測中的TT-T聲波組）可能會使我們在近乎真實的準確幾何位置上看到缺陷的輪廓。

借助這些聲波組視圖所提供的綜合信息，我們可以更加充滿信心地將定量光標放置在適當?shù)奈恢谩?br />
信心滿滿，昭然可見
OmniScan X3探傷儀對這些TFM功能的綜合使用，特別是在將TFM功能與其高級相控陣功能一起使用時，會即刻變身為一款性能強大的檢測工具。這款分析儀的主要優(yōu)勢在于可為用戶提供更加多樣化、更為翔實的數(shù)據(jù)，從而有助于用戶確認自己的分析過程，并更加充滿信心地呈交檢測結(jié)果。