LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據(jù)國際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。
單晶電阻率范圍 |
>2Ω.cm |
單晶少子壽命范圍 |
5μS~7000μS |
配備光源類型 |
波長:1.09μm;余輝<1 μS; |
高頻振蕩源 |
用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz |
前置放大器 |
放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz |
儀器測量重復(fù)誤差 |
<±20% |
測量方式 |
采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式 |
儀器消耗功率 |
<25W |
儀器工作條件 |
溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz |
可測單晶尺寸 |
斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm; |
配用示波器 |
頻寬0—20MHz; |